岗位要求：
1.半导体物理、半导体材料、微电子、光电子等相关专业应届硕士以上或至少有三年相关工作经验本科以上学历人员。
2.从事过III—V族化合物半导体材料GaAs、GaN等薄膜生长的研究经历，接触过GaN基LED的研制和生长的研究；熟悉半导体光电子材料/器件的光学和电学特性及其检测手段。
3.利用MOCVD方法在AIXTRON（Thomas swan）、Veeco等 大型设备上从事过GaN基LED研究和生产相关工作和相应的XRD、PL、EL、AFM、Hall、TEM等测试设备的丰富经验者优先考虑。
4.为人诚恳，做事细心、负责；性格开朗，能够很好与人相处；工作仔细、认真、主动； 吃苦耐劳，努力进取，具有较强的沟通协调能力和敬业精神。